- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Vanliga orsaker till skador på kärnskivan
2022-04-26
1 Analys av processorskador
Skador på kärnkortets inbyggda processor är ett problem som måste uppmärksammas i processen att använda kärnkortet för sekundär utveckling. Det inkluderar huvudsakligen (men är inte begränsat till) följande situationer:
(1) Hot-swap kringutrustning eller externa moduler med ström på, vilket orsakar skada på den inbyggda processorn på kärnkortet.
(2) När du använder metallföremål under felsökningsprocessen, kommer IO att påverkas av elektrisk stress på grund av falsk beröring, vilket resulterar i skador på IO, eller att beröra vissa komponenter på kortet kommer att orsaka en omedelbar kortslutning till jord, vilket orsakar relaterade kretsar och kärnkort. Skadad processor.
(3) Använd fingrarna för att direkt vidröra chipets kuddar eller stift under felsökningsprocessen, och människokroppens statiska elektricitet kan skada den inbyggda processorn på kärnkortet.
(4) Det finns orimliga ställen i utformningen av den egentillverkade basplattan, såsom nivåfelmatchning, överdriven belastningsström, över- eller underskridning, etc., vilket kan orsaka skada på kärnkortets inbyggda processor.
(5) Under felsökningsprocessen sker ledningsfelsökning av det perifera gränssnittet. Ledningarna är fel eller den andra änden av ledningarna är i luften när den vidrör andra ledande material, och IO-ledningarna är fel. Den skadas av elektrisk påfrestning, vilket resulterar i skador på den inbyggda processorn på kärnkortet.
2 Analys av orsakerna till processor-IO-skador
(1) Efter att processor IO har kortslutits med en strömförsörjning större än 5V, värms processorn onormalt upp och skadas.
(2) Utför ±8KV kontakturladdning på processorns IO, och processorn skadas omedelbart.
Skador på kärnkortets inbyggda processor är ett problem som måste uppmärksammas i processen att använda kärnkortet för sekundär utveckling. Det inkluderar huvudsakligen (men är inte begränsat till) följande situationer:
(1) Hot-swap kringutrustning eller externa moduler med ström på, vilket orsakar skada på den inbyggda processorn på kärnkortet.
(2) När du använder metallföremål under felsökningsprocessen, kommer IO att påverkas av elektrisk stress på grund av falsk beröring, vilket resulterar i skador på IO, eller att beröra vissa komponenter på kortet kommer att orsaka en omedelbar kortslutning till jord, vilket orsakar relaterade kretsar och kärnkort. Skadad processor.
(3) Använd fingrarna för att direkt vidröra chipets kuddar eller stift under felsökningsprocessen, och människokroppens statiska elektricitet kan skada den inbyggda processorn på kärnkortet.
(4) Det finns orimliga ställen i utformningen av den egentillverkade basplattan, såsom nivåfelmatchning, överdriven belastningsström, över- eller underskridning, etc., vilket kan orsaka skada på kärnkortets inbyggda processor.
(5) Under felsökningsprocessen sker ledningsfelsökning av det perifera gränssnittet. Ledningarna är fel eller den andra änden av ledningarna är i luften när den vidrör andra ledande material, och IO-ledningarna är fel. Den skadas av elektrisk påfrestning, vilket resulterar i skador på den inbyggda processorn på kärnkortet.
2 Analys av orsakerna till processor-IO-skador
(1) Efter att processor IO har kortslutits med en strömförsörjning större än 5V, värms processorn onormalt upp och skadas.
(2) Utför ±8KV kontakturladdning på processorns IO, och processorn skadas omedelbart.
Använd multimeterns on-off-växel för att mäta processorportarna som kortslutits av 5V-strömförsörjningen och skadade av ESD. Det visade sig att IO:n var kortsluten till processorns GND, och kraftdomänen relaterad till IO:n var också kortsluten till GND:n.
Tidigare:Design av kärnskivan
